AIDK12S65C5ATMA1
AIDK12S65C5ATMA1 مكوّن إلكتروني من Infineon Technologies ضمن فئة أنواع الثنائيات المعدلة. المواصفات: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2632. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة و
ما المكونات المتوفرة في المخزون؟
يشمل مخزون STY TECHNOLOGY LIMITED الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.
كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟
افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.
هل تدعمون مطابقة BOM؟
نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.
Product Attributes
| حالة القطعة | Active |
|---|---|
| نوع التثبيت | Surface Mount |
| الصف | Automotive |
| التأهيل | AEC-Q101 |
| التيار - المعدل المتوسط (Io) | 12A |
| الحزمة / العلبة | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل - الوصلة | -40°C ~ 175°C |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| السرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| وقت الاسترداد العكسي (trr) | 0 ns |
| الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If | 1.7 V @ 12 A |
| المورد الجهاز الحزمة | PG-TO263-2 |
| الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى) | 650 V |
| التيار - تسرب عكسي @ Vr | 70 µA @ 650 V |
| السعة @ Vr, F | 363pF @ 1V, 1MHz |