BC80725E6327

BC80725E6327 مكوّن إلكتروني من Infineon Technologies ضمن فئة الترانزستورات ثنائية القطب الفردية. المواصفات: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23-3-11. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من ال

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون STY TECHNOLOGY LIMITED الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
BC80725E6327
Manufacturer:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
Description:
TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Surface Mount
درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
المورد الجهاز الحزمة PG-SOT23-3-11
نوع الدائرة Isolated
نسبة مطابقة المقاوم -
انحراف نسبة المقاومة -
الطاقة لكل عنصر 62.5mW
معامل درجة الحرارة ±200ppm/°C
نوع الترانزستور PNP
تردد - انتقال 200MHz
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 500 mA
التسامح ±1%
عدد الدبابيس 8
الصف Automotive
الحزمة / العلبة 0804, Concave, Long Side Terminals
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 45 V
عدد المقاومات 4
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 100nA (ICBO)
التأهيل AEC-Q200
الطاقة - الحد الأقصى 330 mW
Vce التشبع (الحد الأقصى) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
الحجم / الأبعاد 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm)
الارتفاع - عند الجلوس (الحد الأقصى) 0.020" (0.50mm)
كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic، Vce 160 @ 100mA, 1V
التطبيقات DDRAM, SDRAM
المقاومة (أوم) 5.62k