BC808-40WE6327

BC808-40WE6327 مكوّن إلكتروني من Infineon Technologies ضمن فئة الترانزستورات ثنائية القطب الفردية. المواصفات: TRANS PNP 25V 0.5A PG-SOT23-3-11. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون STY TECHNOLOGY LIMITED الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
BC808-40WE6327
Manufacturer:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
Description:
TRANS PNP 25V 0.5A PG-SOT23-3-11
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Surface Mount
درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
المورد الجهاز الحزمة PG-SOT23-3-11
نوع الدائرة Isolated
نسبة مطابقة المقاوم -
انحراف نسبة المقاومة -
الطاقة لكل عنصر 62.5mW
معامل درجة الحرارة ±200ppm/°C
نوع الترانزستور PNP
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 25 V
تردد - انتقال 200MHz
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 500 mA
التسامح ±1%
عدد الدبابيس 8
الصف Automotive
الحزمة / العلبة 0804, Concave, Long Side Terminals
عدد المقاومات 4
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 100nA (ICBO)
التأهيل AEC-Q200
Vce التشبع (الحد الأقصى) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic، Vce 250 @ 100mA, 1V
الحجم / الأبعاد 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm)
الطاقة - الحد الأقصى 250 mW
الارتفاع - عند الجلوس (الحد الأقصى) 0.020" (0.50mm)
التطبيقات DDRAM, SDRAM
المقاومة (أوم) 68.1k