BSDD06G65E2
BSDD06G65E2 مكوّن إلكتروني من Bourns Inc. ضمن فئة أنواع الثنائيات المعدلة. المواصفات: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب
ما المكونات المتوفرة في المخزون؟
يشمل مخزون STY TECHNOLOGY LIMITED الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.
كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟
افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.
هل تدعمون مطابقة BOM؟
نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.
Product Attributes
| حالة القطعة | Active |
|---|---|
| نوع التثبيت | Surface Mount |
| التيار - المعدل المتوسط (Io) | 6A |
| السرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| درجة حرارة التشغيل - الوصلة | -55°C ~ 175°C |
| الحزمة / العلبة | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| المورد الجهاز الحزمة | TO-252 (DPAK) |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If | 1.7 V @ 6 A |
| الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى) | 650 V |
| التيار - تسرب عكسي @ Vr | 30 µA @ 650 V |
| السعة @ Vr, F | 201pF @ 1V, 1MHz |