IMDQ75R007M2HXTMA1
IMDQ75R007M2HXTMA1 مكوّن إلكتروني من Infineon Technologies ضمن فئة ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET. المواصفات: IMDQ75R007M2HXTMA1. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من ا
ما المكونات المتوفرة في المخزون؟
يشمل مخزون STY TECHNOLOGY LIMITED الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.
كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟
افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.
هل تدعمون مطابقة BOM؟
نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.
Product Attributes
| حالة القطعة | Active |
|---|---|
| نوع التثبيت | Surface Mount |
| نوع FET | N-Channel |
| ميزة FET | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| الصف | - |
| التأهيل | - |
| تكنولوجيا | SiCFET (Silicon Carbide) |
| استهلاك الطاقة (الحد الأقصى) | 789W (Tc) |
| التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية | 222A (Tc) |
| جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) | 15V, 20V |
| Vgs (الحد الأقصى) | +23V, -7V |
| الحزمة / العلبة | 22-PowerBSOP Module |
| المورد الجهاز الحزمة | PG-HDSOP-22 |
| الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) | 840 V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 131.5A, 20V |
| Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id | 5.6V @ 28.9mA |
| شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 171 nC @ 18 V |
| السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds | 5922 pF @ 500 V |