IMZA120R078M2HXKSA1
IMZA120R078M2HXKSA1 مكوّن إلكتروني من Infineon Technologies ضمن فئة ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET. المواصفات: IMZA120R078M2HXKSA1. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من
ما المكونات المتوفرة في المخزون؟
يشمل مخزون STY TECHNOLOGY LIMITED الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.
كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟
افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.
هل تدعمون مطابقة BOM؟
نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.
Product Attributes
| نوع التثبيت | Through Hole |
|---|---|
| حالة القطعة | Active |
| نوع FET | N-Channel |
| ميزة FET | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| الصف | - |
| التأهيل | - |
| التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية | 28A (Tc) |
| الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) | 1200 V |
| الحزمة / العلبة | TO-247-4 |
| استهلاك الطاقة (الحد الأقصى) | 143W (Tc) |
| تكنولوجيا | SiCFET (Silicon Carbide) |
| جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) | 15V, 18V |
| Vgs (الحد الأقصى) | +23V, -7V |
| شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 21 nC @ 18 V |
| المورد الجهاز الحزمة | PG-TO247-4-8 |
| Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id | 5.1V @ 2.8mA |
| السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds | 700 pF @ 800 V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 9A, 18V |