IPP175N20NM6AKSA1

IPP175N20NM6AKSA1 مكوّن إلكتروني من Infineon Technologies ضمن فئة ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET. المواصفات: IPP175N20NM6AKSA1. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من الع

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون STY TECHNOLOGY LIMITED الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
IPP175N20NM6AKSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
Description:
IPP175N20NM6AKSA1
Datasheet:
-

Product Attributes

نوع التثبيت Through Hole
حالة القطعة Active
نوع FET N-Channel
تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى) ±20V
ميزة FET -
درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
الصف -
التأهيل -
الحزمة / العلبة TO-220-3
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 200 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 39 nC @ 10 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) 10V, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id 4.5V @ 105µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds 3100 pF @ 100 V
المورد الجهاز الحزمة PG-TO220-3-U04
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 38A, 15V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى) 3.8W (Ta), 203W (Tc)