IPW65R040CM8XKSA1

IPW65R040CM8XKSA1 مكوّن إلكتروني من Infineon Technologies ضمن فئة ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET. المواصفات: IPW65R040CM8XKSA1. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من الع

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون STY TECHNOLOGY LIMITED الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
IPW65R040CM8XKSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
Description:
IPW65R040CM8XKSA1
Datasheet:
PDF

Product Attributes

نوع التثبيت Through Hole
حالة القطعة Active
نوع FET N-Channel
تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) 10V
Vgs (الحد الأقصى) ±20V
ميزة FET -
الصف -
التأهيل -
درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة TO-247-3
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 80 nC @ 10 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 650 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 62A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs 40mOhm @ 25A, 10V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى) 329W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة PG-TO247-3-U06
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id 4.7V @ 680µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds 3796 pF @ 400 V