ISC016N04NM7VATMA1

ISC016N04NM7VATMA1 مكوّن إلكتروني من Infineon Technologies ضمن فئة ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET. المواصفات: ISC016N04NM7VATMA1. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من ا

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون STY TECHNOLOGY LIMITED الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
ISC016N04NM7VATMA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
Description:
ISC016N04NM7VATMA1
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Surface Mount
نوع FET N-Channel
تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى) ±20V
ميزة FET -
درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
الصف -
التأهيل -
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 46 nC @ 10 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 40 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) 10V, 15V
الحزمة / العلبة 8-PowerTDFN
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds 2400 pF @ 20 V
المورد الجهاز الحزمة PG-TDSON-8
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى) 3W (Ta), 94W (Tc)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 31A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs 1.49mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id 3.15V @ 35µA