AIMDQ75R025M2HXTMA1
Product Attributes
| Statut de la pièce | Active |
|---|---|
| Type de montage | Surface Mount |
| Type de FET | N-Channel |
| FET Caractéristique | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grade | Automotive |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Dissipation de puissance (Max) | 272W (Tc) |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tension de commande (Rds On max, Rds On min) | 15V, 20V |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Boîtier | 22-PowerBSOP Module |
| Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 18 V |
| Fournisseur Dispositif Emballage | PG-HDSOP-22 |
| Tension Drain-Source (Vdss) | 840 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 36.7A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 8.1mA |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1729 pF @ 500 V |