IMDQ75R016M2HXTMA1
Product Attributes
| Statut de la pièce | Active |
|---|---|
| Type de montage | Surface Mount |
| Type de FET | N-Channel |
| FET Caractéristique | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C | 103A (Tc) |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tension de commande (Rds On max, Rds On min) | 15V, 20V |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Boîtier | 22-PowerBSOP Module |
| Dissipation de puissance (Max) | 394W (Tc) |
| Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 18 V |
| Fournisseur Dispositif Emballage | PG-HDSOP-22 |
| Tension Drain-Source (Vdss) | 840 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 55.8A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 12.3mA |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2577 pF @ 500 V |