IMZA120R053M2HXKSA1

IMZA120R053M2HXKSA1 est un composant électronique Infineon Technologies de la catégorie Transistors uniques FET, MOSFET. Spécifications : IMZA120R053M2HXKSA1. Les achats et la R&D

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Le stock de STY TECHNOLOGY LIMITED comprend des circuits intégrés (CI), des résistances, des condensateurs, des inductances et des diodes. La page du modèle permet de voir la référence, la marque et les spécifications, puis de demander un devis pour la quantité et le délai. Le stock d'origine est confirmé au moment de la demande.

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Numéro de pièce :
IMZA120R053M2HXKSA1
Fabricant :
Infineon Technologies
Numéros d'autres pièces :
-
Description :
IMZA120R053M2HXKSA1
Spécifications :
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Caractéristiques du produit

Type de montage Through Hole
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
FET Caractéristique -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade -
Qualification -
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 38A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
Boîtier TO-247-4
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Dissipation de puissance (Max) 182W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 15V, 18V
Vgs (Max) +23V, -7V
Fournisseur Dispositif Emballage PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id 5.1V @ 4.1mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 13A, 18V