IPB095N20NM6ATMA1
Product Attributes
| Statut de la pièce | Active |
|---|---|
| Type de montage | Surface Mount |
| Type de FET | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Tension Drain-Source (Vdss) | 200 V |
| Boîtier | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Dissipation de puissance (Max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Tension de commande (Rds On max, Rds On min) | 10V, 15V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 100 V |
| Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 116A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 62A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 186µA |
| Fournisseur Dispositif Emballage | PG-TO263-3-U01 |