IPZA65R040CM8XKSA1
Product Attributes
| Type de montage | Through Hole |
|---|---|
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de commande (Rds On max, Rds On min) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Tension Drain-Source (Vdss) | 650 V |
| Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 25A, 10V |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Dissipation de puissance (Max) | 329W (Tc) |
| Fournisseur Dispositif Emballage | PG-TO247-4-U02 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.7V @ 680µA |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3796 pF @ 400 V |