ISC165N15NM6ATMA1

ISC165N15NM6ATMA1 est un composant électronique Infineon Technologies de la catégorie Transistors uniques FET, MOSFET. Spécifications : TRENCH >=100V. Les achats et la R&D peuvent

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Numéro de pièce :
ISC165N15NM6ATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
Numéros d'autres pièces :
-
Description :
TRENCH >=100V
Spécifications :
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Caractéristiques du produit

Statut de la pièce Active
Type de montage Surface Mount
Type de FET N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade -
Qualification -
Tension Drain-Source (Vdss) 150 V
Boîtier 8-PowerTDFN
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 8V, 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 75 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.6mOhm @ 16A, 15V
Dissipation de puissance (Max) 3W (Ta), 95W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage PG-TDSON-8-45