ISCH99N04NM7VATMA1
ISCH99N04NM7VATMA1 est un composant électronique Infineon Technologies de la catégorie Transistors uniques FET, MOSFET. Spécifications : ISCH99N04NM7VATMA1. Les achats et la R&D pe
Quelles pièces sont fournies en stock ?
Le stock de STY TECHNOLOGY LIMITED comprend des circuits intégrés (CI), des résistances, des condensateurs, des inductances et des diodes. La page du modèle permet de voir la référence, la marque et les spécifications, puis de demander un devis pour la quantité et le délai. Le stock d'origine est confirmé au moment de la demande.
Comment demander un devis par référence ?
Ouvrez la page du modèle et vérifiez la marque, le boîtier et les spécifications électriques par rapport à votre besoin, puis envoyez une demande. Indiquez la référence, la quantité et le délai visé. Pour plusieurs lignes, utilisez l'appariement BOM et listez chaque référence une seule fois.
Proposez-vous l'appariement BOM ?
Oui. Envoyez les références, les quantités et les marques. Nous vérifions les circuits intégrés, résistances, condensateurs et inductances par rapport au stock actuel, puis nous indiquons la quantité livrable et les lignes à commander.
Caractéristiques du produit
| Statut de la pièce | Active |
|---|---|
| Type de montage | Surface Mount |
| Type de FET | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Tension Drain-Source (Vdss) | 40 V |
| Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Tension de commande (Rds On max, Rds On min) | 10V, 15V |
| Boîtier | 8-PowerTDFN |
| Dissipation de puissance (Max) | 3W (Ta), 150W (Tc) |
| Fournisseur Dispositif Emballage | PG-TDSON-8 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 20 V |
| Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C | 40A (Ta), 284A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.15V @ 66µA |