MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B
Product Attributes
| Statut de la pièce | Active |
|---|---|
| Type de montage | Surface Mount |
| Type de mémoire | Volatile |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Grade | Automotive |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Temps d'accès | 3.5 ns |
| Format de mémoire | DRAM |
| Taille de la mémoire | 16Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 32 |
| Fréquence d'horloge | 2.133 GHz |
| Boîtier | 200-TFBGA |
| Fournisseur Dispositif Emballage | 200-TFBGA (10x14.5) |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Temps d'Écriture - Mot, Page | 18ns |
| Tension d'alimentation | 1.06V ~ 1.17V |