BC80725E6327

BC80725E6327 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Однополярные биполярные транзисторы. Характеристики: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23-3-11. Закупки и разработка мо

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у STY TECHNOLOGY LIMITED есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
BC80725E6327
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая температура 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус PG-SOT23-3-11
Тип схемы Isolated
Коэффициент согласования резисторов -
Резисторное соотношение дрейфа -
Мощность на элемент 62.5mW
Температурный коэффициент ±200ppm/°C
Тип транзистора PNP
Частота - Переход 200MHz
Ток коллектора (Ic) (макс.) 500 mA
Допуск ±1%
Количество выводов 8
Класс Automotive
Корпус 0804, Concave, Long Side Terminals
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 45 V
Количество резисторов 4
Ток отсечки коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
Квалификация AEC-Q200
Мощность - Максимальная 330 mW
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Размер / Габариты 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm)
Высота - Установленная (Макс.) 0.020" (0.50mm)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Приложения DDRAM, SDRAM
Сопротивление (Ом) 5.62k