BC846AE6433

BC846AE6433 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Однополярные биполярные транзисторы. Характеристики: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23. Закупки и разработка могут св

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у STY TECHNOLOGY LIMITED есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
BC846AE6433
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Last Time Buy
Рабочая температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Поставщик Устройство Корпус PG-SOT23
Тип схемы Isolated
Количество резисторов 2
Коэффициент согласования резисторов -
Резисторное соотношение дрейфа -
Количество выводов 4
Мощность на элемент 62.5mW
Температурный коэффициент ±200ppm/°C
Размер / Габариты 0.063" L x 0.063" W (1.60mm x 1.60mm)
Тип транзистора NPN
Частота - Переход 250MHz
Ток коллектора (Ic) (макс.) 100 mA
Допуск ±1%
Класс Automotive
Корпус 0606, Convex
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 45 V
Квалификация AEC-Q200
Мощность - Максимальная 330 mW
Высота - Установленная (Макс.) 0.020" (0.50mm)
Ток отсечки коллектора (макс.) 15nA (ICBO)
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
Приложения DDRAM, SDRAM
Сопротивление (Ом) 665k