GD55B01GEY2GY
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Время цикла записи - Слово, Страница | - |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Напряжение питания | 2.7V ~ 3.6V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Формат памяти | FLASH |
| Корпус | 8-WDFN Exposed Pad |
| Тактовая частота | 133 MHz |
| Объем памяти | 1Gbit |
| Организация памяти | 128M x 8 |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-WSON (6x8) |
| Интерфейс памяти | SPI - Quad I/O, QPI, DTR |
| Технология | FLASH - NOR (SLC) |