MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип памяти | Volatile |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q100 |
| Время доступа | 3.5 ns |
| Формат памяти | DRAM |
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Объем памяти | 16Gbit |
| Организация памяти | 512M x 32 |
| Тактовая частота | 2.133 GHz |
| Корпус | 200-TFBGA |
| Поставщик Устройство Корпус | 200-TFBGA (10x14.5) |
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Время цикла записи - Слово, Страница | 18ns |
| Напряжение питания | 1.06V ~ 1.17V |