ISCH54N04NM7VATMA1
产品属性
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最大栅源电压 | ±20V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 40 V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 146 nC @ 10 V |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 10V, 15V |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerTDFN |
| 最大功耗 | 3W (Ta), 214W (Tc) |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 7700 pF @ 20 V |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 54A (Ta), 458A (Tc) |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 0.5mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 3.15V @ 113µA |