MT49H32M18CSJ-25E:B
| رقم الجزء |
MT49H32M18CSJ-25E:B
|
|---|---|
| صانع | Micron Technology Inc. |
| أجزاء أخرى من الأرقام | |
| وصف | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA |
| مواصفات | ورقة البيانات |
خصائص المنتج
| حالة القطعة | Obsolete | |
|---|---|---|
| نوع التثبيت | Surface Mount | |
| ديجي كي القابلة للبرمجة | Not Verified | |
| نوع الذاكرة | Volatile | |
| واجهة الذاكرة | Parallel | |
| وقت دورة الكتابة - كلمة، صفحة | - | |
| وقت الوصول | 15 ns | |
| الجهد - التغذية | 1.7V ~ 1.9V | |
| تنسيق الذاكرة | DRAM | |
| الحزمة / العلبة | 144-TFBGA | |
| تردد الساعة | 400 MHz | |
| تكنولوجيا | DRAM | |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 95°C (TC) | |
| المورد الجهاز الحزمة | 144-FBGA (18.5x11) | |
| حجم الذاكرة | 576Mbit | |
| تنظيم الذاكرة | 32M x 18 |
بقعة1600
يمكن شحنها على الفور
