Alliance Memory, Inc.

Alliance Memory est un fabricant mondial sans usine de produits de mémoire hérités et de nouvelle technologie qui sont des remplacements directs broche à broche pour les circuits intégrés SRAM, DRAM et NOR FLASH de Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix et autres. Leur portefeuille de produits comprend une gamme complète de SRAM asynchrones 3,3 V et 5 V utilisées avec les processeurs de signal numérique (DSP) et les microcontrôleurs grand public ; et des SRAM synchrones, des SRAM basse consommation, des Pseudo SRAM, des DRAM synchrones 3,3 V (SDR), des DDR mobiles, des DDR1 simple 2,5 V, des DDR2 double 1,8 V, et des DDR3 triple débit 1,5 V et 1,35 V, des DDR4 quadruple débit 1,2 V, ainsi que des dispositifs NOR Flash parallèles 5 V.