IPP175N20NM6AKSA1

IPP175N20NM6AKSA1是Infineon Technologies的电子元器件型号,属于单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管。规格:IPP175N20NM6AKSA1。采购和研发可按此料号核对品牌与参数后询价。

现货供应哪些器件?

香港升泰科技有限公司的现货包括集成电路(IC)、电阻器、电容器、电感器和二极管。型号页可查看料号、品牌和规格,确认参数后通过询价了解数量和交期。原装现货以询价时的库存为准。

如何按料号询价?

先打开型号页,用料号核对品牌、封装和电气规格,确认与需求一致后再提交询价。询价请写明料号、数量和目标交期。多颗物料请使用 BOM 配单,一次列清清单。

是否支持 BOM 配单?

支持按物料清单做 BOM 配单。把料号、数量和品牌发来后,我们按现货核对集成电路、电阻器、电容器、电感器等条目,并回复可交付数量,以及需要订货的项目。

零件编号:
IPP175N20NM6AKSA1
制造商:
Infineon Technologies
其它零件编号:
-
描述:
IPP175N20NM6AKSA1
规格书:
-

产品属性

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 -
认证 -
封装 / 外壳 TO-220-3
漏极至源极电压 (Vdss) 200 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 39 nC @ 10 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.5V @ 105µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3100 pF @ 100 V
供应商器件封装 PG-TO220-3-U04
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 9.7A (Ta), 61A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 15.5mOhm @ 38A, 15V
最大功耗 3.8W (Ta), 203W (Tc)